-
1 матрица полевых транзисторов
Electronics: fet arrayУниверсальный русско-английский словарь > матрица полевых транзисторов
-
2 технология полевых транзисторов
Microelectronics: unipolar technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология полевых транзисторов
-
3 технология полевых транзисторов
nmicroel. Unipolartechnik, UnipolartechnologieУниверсальный русско-немецкий словарь > технология полевых транзисторов
-
4 технология полевых транзисторов
Unipolartechnik, UnipolartechnologieRussian-german polytechnic dictionary > технология полевых транзисторов
-
5 матрица полевых транзисторов
Русско-английский словарь по микроэлектронике > матрица полевых транзисторов
-
6 технология полевых транзисторов
Русско-английский словарь по микроэлектронике > технология полевых транзисторов
-
7 ГИС на основе p-i-n-диодов и полевых транзисторов
Microelectronics: pin-fet hybridУниверсальный русско-английский словарь > ГИС на основе p-i-n-диодов и полевых транзисторов
-
8 прибор на основе комбинации биполярных и полевых транзисторов
Engineering: bifet (полупроводниковый)Универсальный русско-английский словарь > прибор на основе комбинации биполярных и полевых транзисторов
-
9 применительно к ЖК-дисплеям указывает на использование матрицы ключей обычно полевых транзисторов на основе высокотемпературных поликремниевых структур
Hi-Fi. Thin Film Transistor (которые включают отдельные пиксели ЖК-дисплея)Универсальный русско-английский словарь > применительно к ЖК-дисплеям указывает на использование матрицы ключей обычно полевых транзисторов на основе высокотемпературных поликремниевых структур
-
10 технология полевых транзисторов с p-n-переходами
Microelectronics: j-fet technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология полевых транзисторов с p-n-переходами
-
11 технология полевых транзисторов с затворами Шотки
Engineering: metallized semiconductor gate technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология полевых транзисторов с затворами Шотки
-
12 технология создания полевых транзисторов с силицидным затвором
Microelectronics: silicide-gate technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология создания полевых транзисторов с силицидным затвором
-
13 самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения обеднения
Универсальный русско-немецкий словарь > самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения обеднения
-
14 самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения-обеднения
Универсальный русско-немецкий словарь > самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения-обеднения
-
15 технология полевых транзисторов Шоттки
nmicroel. (изготовления)(с затвором) MESFET-TechnikУниверсальный русско-немецкий словарь > технология полевых транзисторов Шоттки
-
16 технология полевых транзисторов с p-n переходами
Русско-английский словарь по микроэлектронике > технология полевых транзисторов с p-n переходами
-
17 линейный участок
adj2) IT. Geradenabschnitt3) oil. Leitungsabschnitt4) microel. Triodenbereich (рабочих характеристик полевых транзисторов), aktiver Bereich (рабочих характеристик МДП-транзисторов), linearer Arbeitsbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора), linearer Bereich (рабочих характеристик транзистора), linearer ohmscher Bereich (рабочих характеристик полевых транзисторов), ohmscher Bereich (рабочих характеристик полевых транзисторов) -
18 полевые
General subject: Junction Field Effect Transistor (тип полевых транзисторов, часто используемых во входных каскадах предварительных усилителей. По своей внутренней структуре и принципу действия они отличаются от широко распространенных биполярных транзисторов) -
19 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораRussian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор
-
20 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора
См. также в других словарях:
матрица полевых транзисторов — lauko tranzistorių matrica statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor array vok. Feldeffekttransistormatrix, f rus. матрица полевых транзисторов, f pranc. réseau à transistors à effet de champ, m … Radioelektronikos terminų žodynas
технология биполярных и полевых транзисторов — dvipolių ir lauko tranzistorių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar FET technology; bipolar junction FET technology vok. Bipolar und Feldeffekttransistor Technik, f rus. технология биполярных и полевых… … Radioelektronikos terminų žodynas
Примеры химически селективных полевых транзисторов — Тип Затвор Определяемые вещества Газочувствительные ПТ Pd H2, NH3, CO Ионселективные Ta2O5, Al2O3, BN Газопроницаемые мембраны + Al2O3 … Химический справочник
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Интегральная схема — Запрос «БИС» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа Интегральная (микро)схема ( … Википедия
Микросхема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Большая интегральная схема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Видеочип — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Интегральная микросхема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
